512 ГБ, M.2 2280, последовательный доступ: 3000 / 1400 МБайт/с
1 модуль 8 ГБ DDR4 DIMM, частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22, напряжение: 1.2 В
1 модуль 8 ГБ DDR4 DIMM, частота: 2666 МГц, напряжение: 1.2 В
256 ГБ, M.2 2280, 3D TLC NAND, последовательный доступ: 1950 / 1200 МБайт/с
Объём: 64 ГБ; SD-класс: 10; Шина UHS: UHS-I; Класс UHS: U1; Скорость чтения: 90 МБ/с; Скорость записи: 30 МБ/с; Адаптер в комплекте: microSDXC-SDXC; Кардридер в комплекте: нет
1 модуль 16 ГБ DDR4 DIMM, частота: 3200 МГц, напряжение: 1.2 В
4 ТБ, M.2 2280, последовательный доступ: 3200 / 1700 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, последовательный доступ: 7400 / 6700 МБайт/с
1 модуль 8 ГБ DDR4 SODIMM, частота: 3200 МГц, напряжение: 1.2 В
1 ТБ, SATA, 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550 / 510 МБайт/с
