1 модуль 16 ГБ DDR5 SODIMM, частота: 4800 МГц, напряжение: 1.1 В
4 ТБ, M.2 2280, последовательный доступ: 3200 / 1700 МБайт/с
512 ГБ, M.2 2280, 3D TLC NAND, последовательный доступ: 2050 / 1600 МБайт/с
256 ГБ, M.2 2280, 3D TLC NAND (NVMe 1.3), последовательный доступ: 3000 / 2000 МБайт/с
2 ТБ, SATA, 3D QLC NAND, последовательный доступ: 550 / 510 МБайт/с
512 ГБ, SATA, 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550 / 510 МБайт/с
480 ГБ, SATA, 3D TLC NAND, последовательный доступ: 530 / 510 МБайт/с
1 модуль 8 ГБ DDR4 DIMM, частота: 2666 МГц, напряжение: 1.2 В
1 модуль 16 ГБ DDR4 DIMM, частота: 3200 МГц, тайминги: 22-22-22-52, напряжение: 1.2 В
512 ГБ, SATA, 3D NAND, последовательный доступ: 550 / 510 МБайт/с
1 модуль 8 ГБ DDR5 DIMM, частота: 5600 МГц, напряжение: 1.1 В
512 ГБ, M.2 2280, последовательный доступ: 5000 / 4500 МБайт/с